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迈向更高容量的创新技术
当前一代 BiCS FLASH™ 产品实现重大提升的背后，是多项突破性技术创新。通过在闪存工程设计和组装工艺上的进步，实现了密度、性能和能效的提升。探索 CMOS 直接键合到阵列（CBA） 、On Pitch Select Gate（OPS）以及 32 -die 存储堆叠技术如何引领 3D 闪存的未来。
前道工序中的技术
访谈
采用高精度晶圆键合的高密度 3D 闪存为存储带来全新价值
近年来，闪存制造商主要致力于开发增加存储单元层数、提升存储密度的技术。每一代闪存新品发布时，层数都会增加，部分产品已拥有超过 200 层。然而，正如铠侠存储事业部副总裁井上敦所解释的："增加存储单元层数只是提升容量和存储密度的一种方式，我们并非只关注层数。"
后道工序中的堆叠技术
访谈
以创新的2mm闪存封装技术引领AI革命
32-Die 堆叠于单一封装内
AI 的快速增长加速了对闪存容量的需求。铠侠成功将 32 颗 2Tb（太比特）存储晶粒组装到高度不足 2 毫米的封装内，开发出了大容量 8TB（太字节）闪存。这一成就得益于先进的组装工艺技术，包括将晶圆做得尽可能薄。
各代 BiCS FLASH™ 技术共通的基础
TLC（三层单元）与 QLC（四层单元）技术
BiCS FLASH™ 3D 闪存产品系列同时涵盖每单元 3-bit（TLC）和每单元 4-bit（QLC）技术。QLC 技术将每个存储单元的数据位数从 3-bit 提升至 4-bit，显著扩大了容量。采用 16-Die 堆叠架构的 BiCS FLASH™ QLC 技术，可在单一封装内实现 4TB 的容量。
铠侠是业内最早预见并着手推动 SLC 技术向 MLC、MLC 向 TLC、以及 TLC 向 QLC 成功演进的企业之一。
铠侠 QLC 技术非常适用于需要高容量、低成本存储解决方案的应用场景。如今 QLC 技术以单一封装内可实现的最高密度缩小了占用空间，使存储解决方案能够灵活扩展。
按应用分类的产品
无论是车载应用、紧凑型高性能PC、云服务器和超大规模数据中心部署，铠侠的存储器和存储解决方案通过提供先进的高性能、高密度、低功耗、低延迟、高可靠性等特性，帮助新兴应用取得成功，使现有技术达到预期潜力。
支持
如果您有任何技术问题、资料请求、对样品或购买商业产品（存储芯片、SSD、SD 存储卡）等感兴趣，请联系我们。
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
