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XL-FLASH|存储级内存（SCM）
专为速度而设计：低延迟和高性能存储级内存（SCM）解决方案
因市场对灵活且价格实惠的存储级内存（SCM）解决方案的需求日益增长，铠侠开发了一种具有极低延迟、高性能特性的闪存XL-FLASH。XL-FLASH设计用于填补易失性存储器（如DRAM）和当前闪存之间存在的性能缺口。XL-FLASH与所有闪存一样，能够在断开电源时保留数据。铠侠宣布推出具有MLC功能的第二代XL-FLASH。
采用铠侠BiCS FLASH™ 3D闪存技术制造的XL-FLASH旨在帮助数据中心、云提供商以及企业满足日益严苛的应用需求。XL-FLASH的特点是易于管理和扩展，具有128 Gb芯片（SLC）/256 Gb芯片（MLC）（采用2芯片、4芯片、8芯片封装）、4kB页面大小（可实现更高效的操作系统读写性能）、快速页面读取和写入时间以及小于5微秒的读取延迟。
铠侠XL-FLASH存储级内存的主要特性
- 16平面架构可改善延迟
- 兼容的闪存协议/封装
- 快速页面读取和写入时间
- 高单元可靠性
- 可扩展的BiCS FLASH™ 3D 技术
- 4KB页面大小，可实现更高效的操作系统读写性能
- 128Gb芯片(SLC) / 256Gb芯片(MLC) (现提供2-芯片, 4-芯片, 8-芯片封装)
XL-FLASH关键技术
高性能低延迟解决方案
XL-FLASH具有独特的用于改善延迟的16平面架构。与传统闪存产品不同，其字和位线的寻址尺寸较短，并针对电路结构进行了优化，从而显著降低了读/写延迟。
高的单元可靠性
XL-FLASH采用高可靠性单元的闪存设计，支持密集型写入应用。
易于管理
XL-FLASH使用与现有闪存协议和产品兼容的标准接口和操作。
XL-FLASH主要应用
存储服务器
云服务器/边缘服务器
自动化/数字医疗/交通/监控/机器人/无人机/安全/数字标牌/网络（5G区域网络）/PoS（销售终端）
了解与评估
XL-FLASH 规格
*表格可以水平滚动。
| 容量 | 零件编号 | 技术 | 单元 | 工作温度 | 封装 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 32GB | TH58LJG8SA4BA4C | BiCS FLASH™ | SLC | 0 - 70 | 132Ball BGA 12x18mm |
生产 |
| 64GB | TH58LJG9SA4BA8C | |||||
| 128GB | TH58LJT0SA4BA8H |
支持
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
