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车载UFS和e-MMC
未来，我们将继续在车载设备领域开拓进取
铠侠提供各种车载应用的高速UFS和e-MMC存储器产品线，能够很好地支持日益复杂的车载应用中的数据存储需求。铠侠车载UFS和e-MMC支持的温度范围为-40°C至+105°C，满足AEC-Q100 2级(8)要求，并能提供高要求车载应用所需的可靠性。
车载功能需要闪存
新一代车载应用系统求新求变：追求更先进的信息娱乐系统和ADAS系统（高级驾驶员辅助系统），为事件数据记录提供更多存储空间，支持更强的3D地图绘制。追求利用5G、物联网（IoT）和人工智能的全新应用和能力。
车载UFS和e-MMC的使用要求
- 符合IATF16949
- 符合车载标准（如AEC-Q100压力测试标准）
- 支持PPAP（确保稳定供应优质的零件）
- 支持更广的温度范围（如-40°C至+105°C）
- 低故障率
- 产品变更通知（PCN）
- 车载特性（例如，更高的焊球可靠性、在芯片超过一定温度时采取应对措施等。）
车载UFS(6)
可用容量：32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB
车载e-MMC(7)
接口从e-MMC（并行）更改为UFS（串行）
UFS由JEDEC特别定义为e-MMC的高性能存储器替代品。它已经成为主要的智能手机解决方案，并持续迁移到车载应用和其他应用当中。UFS最终将超越e-MMC，成为主要的车载应用存储解决方案。
UFS 市场趋势
UFS是符合JEDEC标准，可以代替e-MMC且具有更快性能的产品。凭借其性能优势，UFS已广泛应用于智能手机，也将逐渐应用于车载应用。
为什么选择UFS？
简单来说—UFS是e-MMC的升级版。UFS的性能已大幅超越e-MMC，并将持续扩大其性能的优势性。
UFS相较于e-MMC的优势：
- 更快的接口
- 更高的读写性能
- 产品容量更高
- 更优越的能效
- 支持全双工运行
启动时间比较（64MB 数据输出）
对于大量启动数据，启动时间更快，这是车载应用中使用UFS的一大动力。
UFS的启动时间比其他存储设备更快，这得益于其高速顺序读取性能。
支持车载可靠性的附加特性
- 过热控制：如果设备温度超过105°C，设备会降低性能并通知主控进行处理
- 高阶诊断功能：UFS控制器会监控各种项目，如擦写次数，当前温度等，并向主控报告设备状态
- 刷新：可以刷新可靠性变差的数据，提高数据可靠性。
自2013年以来，铠侠率先投入研究UFS，未来，我们将继续在车载设备领域开拓进取。
学习与评估
车载UFS规格
AEC-Q100 Grade2
*表格可以水平滚动。
| 容量 | 器件型号 | UFS 版本 |
最大数据速率 （MB/s） |
供电电压 | 工作 温度 （°C） （1） |
封装尺寸 （mm） |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC （V） |
VCCQ （V） |
VCCQ2 （V） |
||||||
| 32GB | THGAFBG8T13BAB7（3） | 2.1 | 1160 | 2.7 - 3.6 | - (4) | 1.70 - 1.95 | -40 - 105 | 11.5x13.0x1.0 |
| THGAFEG8T13BAB7 | ||||||||
| 64GB | THGAFBG9T23BAB8（3） | 11.5x13.0x1.2 | ||||||
| THGAFEG9T23BAB8 | ||||||||
| 128GB | THGAFBT0T43BAB8（3） | |||||||
| THGAFET0T43BAB8 | ||||||||
| 256GB | THGAFBT1T83BAB5（3） | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
| THGAFET1T83BAB5 | ||||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | 2.4 - 2.7 2.7 - 3.6 |
1.14 - 1.26 | - (5) | -40 - 105 | 11.5x13.0x1.2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
AEC-Q100 Grade3
*表格可以水平滚动。
| 容量 | 器件型号 | UFS 版本 |
最大数据速率 （MB/s） |
供电电压 | 工作 温度 （°C） （2） |
封装尺寸 （mm） |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC （V） |
VCCQ （V） |
VCCQ2 （V） |
||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAA8 | 3.1 | 2320 | 2.4 - 2.7 2.7 - 3.6 |
1.14-1.26 | - (5) | -40 - 85 | 11.5x13.0x1.2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAA8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAA8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAA5 | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
车载e-MMC规格
AEC-Q100 Grade2
*表格可以水平滚动。
| 容量 | 器件型号 | e-MMC 版本 |
最大数据速率 （MB/s） |
供电电压 | 工作 温度 （°C） （1） |
封装尺寸 （mm） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC （V） |
VCCQ （V） |
||||||
| 8GB | THGBMJG6C1LBAC7 | 5.1 | 400 | 2.7 - 3.6 | 1.70 - 1.95 2.7 - 3.6 |
-40 - 105 | 11.5x13.0x1.0 |
| 16GB | THGBMJG7C2LBAC8 | 11.5x13.0x1.2 | |||||
| 32GB | THGBMJG8C4LBAC8 | ||||||
| 64GB | THGBMJG9C8LBAC8 | ||||||
| 32GB | THGAMVG8T13BAB7 | 1.70 - 1.95 | 11.5x13.0x1.0 | ||||
| 64GB | THGAMVG9T23BAB8 | 11.5x13.0x1.2 | |||||
| 128GB | THGAMVT0T43BAB8 | ||||||
| 256GB | THGAMVT1T83BAB5 | 11.5x13.0x1.3 | |||||
AEC-Q100 Grade3
*表格可以水平滚动。
| 容量 | 器件型号 | e-MMC 版本 |
最大数据速率 （MB/s） |
供电电压 | 工作 温度 (℃) |
封装尺寸 （mm） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC （V） |
VCCQ （V） |
||||||
| 32GB | THGAMVG8T13BAA7 | 5.1 | 400 | 2.7 - 3.6 | 1.70 - 1.95 | -40 - 85 | 11.5x13.0x1.0 |
| 64GB | THGAMVG9T23BAA8 | 11.5x13.0x1.2 | |||||
| 128GB | THGAMVT0T43BAA8 | ||||||
| 256GB | THGAMVT1T83BAA5 | 11.5x13.0x1.3 | |||||
- Tc=最高115℃
- Tc=最高95℃
- 大预烧录容量限制为用户区域容量的25%。
- 该产品支持VCC和VCCQ2的双电源操作。无需提供VCCQ。
- 该产品支持VCC和VCCQ的双电源操作。无需提供VCCQ2。
- UFS（通用闪存存储）是根据JEDEC UFS标准规范研发的一种嵌入式存储产品的产品种类。
- e-MMC是根据JEDEC e-MMC标准规范研发的一种嵌入式存储产品的产品种类。
- 由AEC（汽车电子委员会）定义的电气元件资格要求。
支持
如果您有任何技术问题、资料请求、对样品或购买商业产品（存储芯片、SSD、SD 存储卡）等感兴趣，请联系我们。
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
