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消费类 & 工业用 UFS & e-MMC
先进嵌入式存储解决方案：驱动消费级与工业级应用的当下与未来
铠侠大容量UFS嵌入式闪存器件将BiCS FLASH™ 3D闪存与控制器集成于单一封装内。 内置控制器负责纠错、磨损均衡、地址转换和坏块管理，简化系统开发、降低处理器负载、缩短上市周期并提升易用性。
疾速前行：铠侠UFS 5.0树立移动速度与能效新标杆
铠侠UFS 5.0 关键特性与优势
关键特性
- 串行接口
- 单器件接口速率提升至最高 10.8GB/s(1)
- 最新JEDEC®标准
- 容量：512GB, 1TB(2)
- MIPI M-PHY 6.0版高速Gear6
卓越性能
UFS 5.0实现显著性能提升，顺序读写速度较UFS 4.1器件分别提升最高123%和113%(3)* 。这一高性能得益于高速Gear6，其通过PAM-4等新技术实现接口速率跃升。
* 基于1TB器件，驱动层性能对比UFS 4.1 1TB
增强能效与热管理
UFS 5.0提供更优的能效与热管理，相较UFS 4.1降低运行能耗与发热量，实现更持久的高性能输出。
UFS 5.0 对比 UFS 4.1
铠侠同时提供UFS 4.1及最新UFS 5.0大容量闪存解决方案，均集成控制器并配备先进纠错功能。UFS技术将存储管理从主处理器卸载，简化系统设计并便于集成。
UFS 5.0相较UFS 4.1引入多项增强，包括：
- 更快的接口速率以实现更高数据吞吐
- 顺序与随机读写性能提升
- 更高能效以支持下一代高性能设备
这些增强使UFS 5.0非常适合高端移动设备，凭借更快的接口速率支持端侧AI运行。
为何选择铠侠UFS
铠侠延续创新传统，推出UFS 5.0闪存解决方案，满足现代嵌入式存储对速度与能效日益增长的需求。凭借多年技术领导地位和多项行业首创记录，铠侠UFS 5.0解决方案专为高要求应用而设计，如智能手机端侧AI及其他高性能计算系统。
UFS 5.0 面向先进应用
UFS 5.0标准在数据传输速度、响应速度和功耗优化方面实现显著跃升。这些特性带来无缝体验——实现应用快速加载、超高速数据下载，并为最密集移动及嵌入式用例提供高效多任务处理。
随着数码产品演进并对响应速度和敏捷性提出更高要求，铠侠UFS 5.0闪存助力制造商以卓越性能提升交付下一波创新用户体验(3)*。
- 顺序读取：10,000 MB/s +123%
- 顺序写入（WB）：9,000 MB/s +113%
- 随机读取：1,160 KIOPS +71%
- 随机写入：1,020 KIOPS +59%
* 1TB器件，驱动层性能对比UFS 4.1 1TB
铠侠UFS关键技术
PAM-4支持**
PAM-4（4电平脉冲幅度调制）是一项技术，通过使用四种不同的信号强度而非仅两种，使器件在每个信号中传输更多信息。这种方法在不增加额外连接或线缆的情况下，有效将可传输数据量翻倍。在UFS 5.0中，PAM-4实现更快的数据传输速度。因此，用户获得更快的应用启动、文件传输和更流畅的性能，帮助设备跟上现代应用、高分辨率媒体和多任务处理的需求。
** 仅为UFS 5.0中 HS-Gear6的关键技术
WriteBooster功能
WriteBooster利用现有用户数据区作为临时SLC缓存来提升写入性能，且不牺牲容量。主机可在设备配置时设定最大SLC缓存大小，并可持续向缓存写入数据直至缓存填满。该功能由主机在运行期间根据5G及其他应用的系统性能需求动态启用。
高速链路启动序列（HS-LSS）支持
传统UFS中，器件与主机之间的链路启动（M-PHY和UniPro初始化序列）以低速PWM-G1（3~9Mbps***）进行，而HS-LSS支持以更快的HS-G1 Rate A（1248Mbps）执行。预计相较传统方式可将链路启动时间缩短约70%。
*** PWM-G1通信速度因产品而异。
下一代3D闪存技术
铠侠UFS 5.0采用最先进的BiCS FLASH™ 3D闪存，并引入进一步的控制器优化，旨在最大化吞吐、降低延迟，并高效支持现代移动、汽车及企业设备的严苛需求。
铠侠UFS 5.0 关键应用
高端智能手机 / 端侧AI
平板电脑 / 台式PC
游戏
快速流媒体 / 主机存储
学习与评估
UFS 5.0 规格
*表格可横向滚动。
| 容量 (2) | 器件型号 | UFS 版本 |
最大传输 速率 （MB/s） |
电源电压 | 工作 温度 (℃) |
封装尺寸 (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ/VCCQ_M （V） |
VCCQ2 （V） |
||||||
| 512GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10,830 | 2.4 to 2.7 | 1.14 to 1.26 | - (4) | -25 to 85 | 7.5x13.0x0.8 |
| 1TB | THGJFST3E88BATN | 7.5x13.0x0.9 | ||||||
UFS 4.1/3.1 & e-MMC
铠侠UFS 4.1/3.1提供闪电般快速的嵌入式存储传输速度，使下一代智能手机和移动应用能够充分利用5G移动网络。
铠侠e-MMC产品系列提供符合JEDEC 5.1版标准的接口，无需用户直接控制闪存。
- 1 GB/s按1,000,000,000字节/秒计算，1MB/s按1,000,000字节/秒计算。这是根据接口速度计算的理论值，用户设备的实际速度不作保证。读写速度可能因主机系统、读写条件、文件大小等因素而异。
- 产品密度基于产品内部存储芯片的密度确定，而非终端用户可用于数据存储的内存容量。由于开销数据区、格式化、坏块及其他限制，消费者可用容量将更少，且可能因主机设备和应用而异。详情请参阅适用的产品规格。1KB的定义为2^10字节 = 1,024字节。1Gb的定义为2^30比特 = 1,073,741,824比特。1GB的定义为2^30字节 = 1,073,741,824字节。1Tb = 2^40比特 = 1,099,511,627,776比特。
- 性能数据基于内部测试。实际结果可能因主机设备、使用模式及其他条件而异。
- 本产品支持VCC和VCCQ / VCCQ_M双电源供电操作。无需VCCQ2 。
- JEDEC是JEDEC固态技术协会的注册商标
- MIPI®、M-PHY®和UniPro®是MIPI联盟的注册商标。
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
