BiCS FLASH™ | TLC & QLC

铠侠的可扩展BiCS FLASH™ 3D闪存技术将存储器容量再创新高

铠侠的BiCS FLASH™是一种三维（3D）垂直闪存单元结构。 此结构使其能够超越2D（平面）闪存的容量。铠侠的TLC 3位/单元1Tb （128GB*1 ） BiCS FLASH 乃业界首创*2，在提升写入速度的同时也提高了擦写次数的可靠性。本公司还提供采用4位/单元、四层存储单元（QLC）技术的1.33Tb BiCS FLASH™。这是首次采用这项技术的3D闪存设备。*3

深入了解BiCS FLASH™ 3D存储器技术 A new window will open.
5G数据革命的先进闪存技术 A modal window will open.

铠侠BiCS FLASH™ 3D闪存技术的主要特性

  • 每个芯片的存储容量高于传统闪存
  • 更高的读/写速度性能
  • 比2D（平面）NAND更高的可靠性
  • 低功耗

TLC（三层存储单元）和QLC（四层存储单元）技术

铠侠的BiCS FLASH™ 提供1太比特（Tb）3位/单元、三层存储单元（TLC）和更高容量的QLC技术，实现了更大的芯片容量。铠侠实现了高达1.33太比特（Tb）的业界最大的单芯片容量*4 ，而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 太比特（Tb）的最大单一封装容量。

主要特性

  • 密集封装选项
  • 高的单芯片存储容量（高达2.66TB）
  • 良好的性价比

主要应用

  • 企业存储
  • 数据中心存储
  • 客户端计算
  • 移动设备
  • 车载
  • 消费类
  • 工业

引领和推动更高的存储器容量和效率

铠侠是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。

铠侠的QLC技术非常适合用于需要高容量、低成本存储解决方案的应用。今天的QLC技术减少了所需的安装空间，实现了单一封装的最高可用容量。

KIOXIA QLC技术实现单一封装的最高容量闪存。
  1. 产品容量即产品内存储芯片的容量，而不是终端用户可用于数据存储的内存容量。由于负载数据区域、格式化、坏块和其他限制，消费者可使用的容量会更少，并且还可能因主控设备和应用而异。详情请参考适用的产品规格。1Gb = 230 位 = 1，073，741，824 位。1GB = 230 字节= 1,073,741,824 字节。
  2. 2007年6月12日，新闻稿
  3. 2017年6月28日，新闻稿
  4. 2018年7月20日，新闻稿

按应用分类的产品

无论是车载应用、紧凑型高性能PC、云服务器和超大规模数据中心部署，铠侠的存储器和存储解决方案通过提供先进的高性能、高密度、低功耗、低延迟、高可靠性等特性，帮助新兴应用取得成功，使现有技术达到预期潜力。

Application

了解与评估

3D BiCS FLASH™: 高容量闪存的未来（PDF:757KB） PDF will open in a new window.
XL-FLASH：专为速度而设计（PDF:693KB） PDF will open in a new window.

支持

联系人
有关业务产品的查询/支持

如果您有任何技术问题、资料请求、对样品或购买商业产品（存储芯片、SSD、SD 存储卡）等感兴趣，请联系我们。

相关链接

What is the 3D Flash Memory “BiCS FLASH™”? A new window will open.

In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.

What is NAND Flash Memory? A new window will open.

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

What is Multi-level Cell Technology Realizing Larger Capacity Flash Memory? A new window will open.

“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.