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3D 闪存 | BiCS FLASH™
铠侠为下一代存储应用推出基于闪存的全新产品作为35年前发明NAND闪存的公司，铠侠现已成为全球最大的闪存供应商之一，并将持续推进该项技术的发展创新。
铠侠BiCS FLASH™ 3D闪存技术以突破性的架构创新引领行业发展
BiCS FLASH™第八代技术——为何选择CBA？
访谈
采用高精度晶圆键合的高密度3D闪存为存储器带来新价值
近年来，各家闪存厂商尤为着力的，就是对通过存储单元“高层数”方式以提高存储密度的技术的开发。每当有新一代闪存产品发布，层数就会有所增加，有些产品甚至已经超过了200层。但是，铠侠存储器事业部部长井上敦史则表示：“存储单元的‘高层数’只不过是大容量化和存储密度升级的方法之一，我们并不拘泥于积层数的增加。”
BiCS FLASH™ 技术
主要特性
每个芯片的存储容量高于传统闪存
更高的读/写速度性能
比2D（平面）NAND更高的可靠性
低功耗
* 与2D平面技术相比
目标应用
数据中心存储效率
BiCS FLASH™ 3D闪存旨在解决最具挑战性的数据中心问题：
3D闪存操作原理
3D闪存的操作原理通过CG（计算机生成）动画进行解释，并与阳光直射的方式进行对比（日语配英文字幕）。
铠侠可扩展BiCS FLASH™ 3D闪存技术将存储器容量提升至迄今为止业界最大的单芯片容量*2
TLC（三位存储单元）和QLC（四位存储单元）技术
BiCS FLASH™ 3D闪存产品系列包括3位/单元（TLC）和4位/单元（QLC）技术。QLC技术通过将每个存储单元的数据位数从3个提高到4个，显著扩展了容量。使用BiCS FLASH™ QLC技术的16芯片堆叠架构可在单个封装中实现4 TB的容量。
引领和推动更高的存储器容量和效率
铠侠是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。
铠侠的QLC技术非常适合用于需要高容量、低成本存储解决方案的应用。今天的QLC技术减少了所需的安装空间，实现了单一封装的最高可用容量。
- 与上一代BiCS FLASH™ 3D TLC闪存相比，其特性和典型使用性能已获改进。
- 资料来源：铠侠 - 2024年07月03日新闻稿
按应用分类的产品
无论是车载应用、紧凑型高性能PC、云服务器和超大规模数据中心部署，铠侠的存储器和存储解决方案通过提供先进的高性能、高密度、低功耗、低延迟、高可靠性等特性，帮助新兴应用取得成功，使现有技术达到预期潜力。
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支持
如果您有任何技术问题、资料请求、对样品或购买商业产品（存储芯片、SSD、SD 存储卡）等感兴趣，请联系我们。
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
