BiCS FLASH™ | TLC & QLC

铠侠的可扩展BiCS FLASH™ 3D闪存技术将存储器容量再创新高

铠侠的BiCS FLASH™是一种三维（3D）垂直闪存单元结构。 此结构使其能够超越2D（平面）闪存的容量。侠的TLC 3位/单元1Tb （128GB*1 ） BiCS FLASH 乃业界首创*2，在提升写入速度的同时也提高了擦写次数的可靠性。本公司还提供采用4位/单元、四层存储单元（QLC）技术的1.33Tb BiCS FLASH™。这是首次采用这项技术的3D闪存设备。*3

深入了解BiCS FLASH™ 3D存储器技术 A new window will open.
5G数据革命的先进闪存技术 A modal window will open.

铠侠BiCS FLASH™ 3D闪存技术的主要特性

  • 每个芯片的存储容量高于传统闪存
  • 更高的读/写速度性能
  • 比2D（平面）NAND更高的可靠性
  • 低功耗

TLC（三层存储单元）和QLC（四层存储单元）技术

铠侠的第五代BiCS FLASH™ 提供512千兆（Gb）3位/单元、三层存储单元（TLC）和更高容量的QLC技术，实现了更大的芯片容量。铠侠实现了高达1.33太比特（Tb）的业界最大的单芯片容量*4 ，而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 太比特（Tb）的最大单一封装容量。

主要特性

  • 密集封装选项
  • 高的单芯片存储容量（高达2TB）
  • 良好的性价比

主要应用

  • 企业存储
  • 数据中心存储
  • 客户端计算
  • 移动设备
  • 车载
  • 消费类
  • 工业

引领和推动更高的存储器容量和效率

铠侠是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。

铠侠的QLC技术非常适合用于需要高容量、低成本存储解决方案的应用。今天的QLC技术减少了所需的安装空间，实现了单一封装的最高可用容量。

KIOXIA QLC技术实现单一封装的最高容量闪存。
  1. 产品容量即产品内存储芯片的容量，而不是终端用户可用于数据存储的内存容量。由于负载数据区域、格式化、坏块和其他限制，消费者可使用的容量会更少，并且还可能因主控设备和应用而异。详情请参考适用的产品规格。1Gb = 230 位 = 1，073，741，824 位。1GB = 230 字节= 1,073,741,824 字节。
  2. 2007年6月12日，新闻稿
  3. 2017年6月28日，新闻稿
  4. 2018年7月20日，新闻稿

Products by Applications

Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.

Application

了解与评估

3D BiCS FLASH™: 高容量闪存的未来（PDF:757KB） PDF will open in a new window.
XL-FLASH：专为速度而设计（PDF:693KB） PDF will open in a new window.

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