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BiCS FLASH™ | TLC & QLC


铠侠的可扩展BiCS FLASH™ 3D闪存技术将存储器容量再创新高
铠侠BiCS FLASH™ 3D闪存技术的主要特性

- 每个芯片的存储容量高于传统闪存
- 更高的读/写速度性能
- 比2D(平面)NAND更高的可靠性
- 低功耗
TLC(三层存储单元)和QLC(四层存储单元)技术
铠侠的BiCS FLASH™ 提供1太比特(Tb)3位/单元、三层存储单元(TLC)和更高容量的QLC技术,实现了更大的芯片容量。铠侠实现了高达1.33太比特(Tb)的业界最大的单芯片容量*4 ,而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 太比特(Tb)的最大单一封装容量。

主要特性
- 密集封装选项
- 高的单芯片存储容量(高达2.66TB)
- 良好的性价比
主要应用
- 企业存储
- 数据中心存储
- 客户端计算
- 移动设备
- 车载
- 消费类
- 工业
引领和推动更高的存储器容量和效率
铠侠是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。
铠侠的QLC技术非常适合用于需要高容量、低成本存储解决方案的应用。今天的QLC技术减少了所需的安装空间,实现了单一封装的最高可用容量。


- 产品容量即产品内存储芯片的容量,而不是终端用户可用于数据存储的内存容量。由于负载数据区域、格式化、坏块和其他限制,消费者可使用的容量会更少,并且还可能因主控设备和应用而异。详情请参考适用的产品规格。1Gb = 230 位 = 1,073,741,824 位。1GB = 230 字节= 1,073,741,824 字节。
- 2007年6月12日,新闻稿
- 2017年6月28日,新闻稿
- 2018年7月20日,新闻稿

按应用分类的产品
无论是车载应用、紧凑型高性能PC、云服务器和超大规模数据中心部署,铠侠的存储器和存储解决方案通过提供先进的高性能、高密度、低功耗、低延迟、高可靠性等特性,帮助新兴应用取得成功,使现有技术达到预期潜力。
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