铠侠 BiCS FLASH™ 3D 闪存

铠侠 3D 闪存 "BiCS FLASH™" 是一项突破性创新，能够满足先进智能手机、 PC 和数据中心等以数据为中心的应用需求。为满足高密度和高性能的需求，每一代 BiCS FLASH™ 都建立在前代产品的增强功能和技术进步之上，并旨在针对特定用例和资本规划考量进行优化。 您可以确信，选择铠侠 3D 闪存产品将帮助您满足现代技术工具和应用快速演进的存储与性能需求。

所有代际的 BiCS FLASH™ 产品都支持铠侠向世界交付可持续技术解决方案的重要目标。

如上图所示，铠侠提供了一系列 BiCS FLASH™ 技术代际，每一代都经过精心设计，以满足密度、性能和能效方面的特定需求。 铠侠的双轴战略——一种商业和技术层面的方法论，开发两条独立的 3D 闪存产品线以满足不同市场需求——为广泛应用提供高性能闪存。

第八代 BiCS FLASH™ 通过将两项新技术——CMOS直接键合到阵列（CBA）和节距选通（OPS）——应用于闪存制造流程，实现了显著增强。简而言之，CBA和OPS是制造与设计技术，能够推动密度、性能和能效的提升。

对于存储需求正受到数据密集型应用和AI能力爆炸式增长冲击的客户而言，第八代 BiCS FLASH™ 是理想的技术解决方案。

第九代 BiCS FLASH™ 512Gb 和 1Tb TLC（三层单元）旨在支持对中低容量存储有高性能和卓越能效要求的应用。 第九代 BiCS FLASH™ 产品利用现有的 CBA 和 OPS 技术来提高生产效率，并提供前沿的闪存解决方案。

第十代 BiCS FLASH™ 产品采用与第九代相同的 CMOS 技术，并增加了存储层数量，以满足未来对大容量、高性能解决方案的需求。凭借行业领先的 332 层，以及比第八代层数多 1.5 倍，铠侠持续推动闪存位密度和能效的显著进步。