UFS4.0/4.1 – 为下一代移动储存而设计

UFS4.0/4.1为下一代智能手机和移动应用提供闪电般快速的存储传输速度，使它们能够充分利用5G移动网络的高速率及AI。UFS4.0/4.1采用MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5和UniPro2.0技术，支持每条通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度。UFS4.0/4.1能够兼容UFS 3.1，这意味着现有平台可以使用UFS4.0/4.1的最新一代闪存存储技术，同时还能保留UFS 3.1的所有功能。

铠侠UFS4.1存储产品 A modal window will open.

UFS4.0/4.1的特性

铠侠 UFS 4.0

主要特性

  • 串行接口
  • 高速读写
  • 引脚数少
  • 256GB, 512GB, 1TB
  • 9mm x 13mm 153ball BGA 封装
Performance comparison between UFS 4.0/4.1 and UFS 3.1

更快的性能

相较于上一代产品*，UFS 4.0/4.1产品的顺序读写性能分别提高了约100%和135/150%。为提高下载速度、高清视频录制存储速度以及移动游戏的运行速度，UFS产品采用了WriteBooster技术来提升顺序写入速度。

*铠侠株式会社的UFS3.1 512GB 产品 "THGJFGT2T85BAIU"

UFS 4.0/4.1 尺寸比较

小封装尺寸

UFS4.0/4.1产品支持小型 9mm x 13mm 封装，可在移动设备中节省更多空间，使手机更小、更时尚。

UFS 4.0/4.1 与 UFS3.1

铠侠提供一系列包含集成控制器的高容量闪存产品，包括UFS 3.1和UFS4.0/4.1。这些闪存解决方案可以提供为每一代闪存所优化的ECC和其它控制功能。UFS减少了主控处理器的工作量，简化了产品开发流程，缩短了上市时间，提高了存储器产品的易用性。

与UFS 3.1相比，UFS 4.0/4.1具有以下优势：

  • 更快的接口
  • 更高的读写性能
UFS 4.0/4.1 VS UFS 3.1
UFS 4.0/4.1 is 2X faster than 3.1

选择铠侠UFS4.0/4.1的理由

KIOXIA UFS released timeline KIOXIA UFS released timeline

作为市场中UFS发展的领军者，铠侠致力于推动该项新技术，以实现比其他嵌入式存储解决方案更快的速度和更好的能效。2013年，铠侠率先推出了UFS 1.1的样品。2019年1月，铠侠又率先推出了UFS 3.0的样品。铠侠拥有悠久的NAND闪存发明历史。通过推出最新的UFS4.0/4.1产品，铠侠继续向世界展示其承诺，即致力于创造能够推动不断变化的数字世界发展的技术。

UFS 4.0 for smartphone and VR/AR

UFS4.0/4.1能提供更好的用户体验

与早期版本相比，UFS4.0/4.1标准在性能方面大幅改进。更快的传输速度可使智能手机、游戏机和便携式增强和虚拟现实设备受益。此外，随着写入性能的提高，用户可以更快地下载游戏和应用程序，享受更加流畅的使用体验。存储市场发展更快且更有效率，铠侠始终准备着迎接下一个挑战，并以其领先的UFS4.0/4.1产品引领着行业的发展方向。 

铠侠UFS关键技术

WriteBooster功能

WriteBooster将现有的用户数据区作为临时SLC缓冲区，可以提高写入性能，同时避免牺牲容量。主控可在设备配置中，根据实际需求灵活配置最大SLC缓冲区，还可以持续向缓冲区写入数据，直到缓冲区被填满。该功能可根据系统性能要求，由主控在操作期间动态启用，比如在5G和其他的应用中。

高速链路启动序列 （HS-LSS） 支持

在传统 UFS中，设备与主机之间的传输链路启动（M-PHY 和 UniPro 初始化序列）在低速 PWM-G1 （3~9Mbps*1 ） 下执行。但使用 HS-LSS，可以更快的 HS-G1 Rate A （1248Mbps） 执行。与传统方法相比，预计这将使链路启动时间缩短约 70%。

*1 PWM-G1 通信速度取决于产品。

先进的技术

铠侠UFS采用高性能BiCS FLASH™ 3D闪存技术以优化性能。

铠侠UFS关键应用

客户端计算

笔记本电脑 / 超极本™ / 平板电脑 / 台式电脑 / 游戏电脑

移动设备

智能手机 / 智能手表 / 智能眼镜

消费类

游戏机 / 智能电视 / 虚拟现实头显 / 机顶盒/数字视频录像机 / 智能音箱 / 智能家居 / 可穿戴设备 / 家庭健康 / 家庭网络

工业

自动化 / 数字医疗 / 交通运输 / 监控 / 机器人 / 无人机 / 安全 / 数字标牌 / 网络技术（5G区域网络） / PoS（POS机）

了解与学习与评估

铠侠UFS：e-MMC 理想替代品（PDF ： 294KB） PDF will open in a new window. UPDATED
铠侠UFS 产品简介 （PDF ： 315KB） PDF will open in a new window. UPDATED
UFS新用例 技术简介（PDF ： 918KB） PDF will open in a new window. UPDATED
了解WriteBooster的特性技术简介 （PDF ： 487KB） PDF will open in a new window. UPDATED
了解管理型闪存中的TBW和P/E Cycles技术简介 （PDF ： 1.5MB） PDF will open in a new window. UPDATED
在e-MMC和UFS规范中引入RPMB（重放保护内存块） 技术简介（PDF: 382KB） PDF will open in a new window. UPDATED
了解NAND闪存中的ECC（纠错码）技术简介 （PDF ： 448KB） PDF will open in a new window. UPDATED
了解NAND闪存中的坏块管理技术简介 （PDF ： 243KB） PDF will open in a new window. UPDATED
了解NAND闪存中的磨损均衡 技术简介(PDF : 324KB) PDF will open in a new window. NEW
了解NAND闪存中的垃圾回收 技术简介 (PDF : 873KB) PDF will open in a new window. NEW
了解NAND闪存中的逻辑-物理块地址转换技术简介(PDF : 983KB) PDF will open in a new window. NEW

UFS4.0/4.1的规格

*Table can be scrolled horizontally.

Capacity Part Number UFS
Version		 Max Data
Rate
(MB/s)		 Supply Voltage Operating
Temperature
(℃)		 Package Size
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
256GB THGJFMT1E45BATV 4.0 4640 2.4 to 2.7 1.14 to 1.26 - (1) -25 to 85 9.0x13.0x0.8
512GB THGJFMT2E46BATV 9.0x13.0x0.8
1TB THGJFMT3E86BATZ 9.0x13.0x0.9
256GB THGJFRT1E45BATV 4.1 9.0x13.0x0.8
512GB THGJFRT2E48BATV 9.0x13.0x0.8
1TB THGJFRT3E88BATW 9.0x13.0x0.85
  1. 该产品支持VCC和VCCQ2的双电源操作。无需提供VCCQ2 电源。

UFS 3.1

铠侠的UFS（通用闪存存储）3.1实现了各种数字消费类产品所需的高速读/写性能、低功耗并且缩短了应用启动时间。

UFS 3.1

支持

联系人
有关业务产品的查询/支持

如果您有任何技术问题、资料请求、对样品或购买商业产品（存储芯片、SSD、SD 存储卡）等感兴趣，请联系我们。

相关链接

What is the 3D Flash Memory “BiCS FLASH™”? A new window will open.

In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.

What is NAND Flash Memory? A new window will open.

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

What is Multi-level Cell Technology Realizing Larger Capacity Flash Memory? A new window will open.

“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.