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车规级 UFS 3.1 / 2.1 和 e-MMC
车规级 UFS 3.1 关键特性
- 符合IATF16949
- 符合车载标准（如AEC-Q100压力测试标准）
- 支持 PPAP（生产部件审批流程）
- 支持更广的温度范围（如-40°C至+105°C）
- 低故障率
- 与非车规级零件相比，PCN的交货时间更长
- 车载特性（例如，更高的焊球可靠性、在芯片超过一定温度时采取应对措施等。）
- 64GB, 128GB, 256GB, 512GB
下一代车规级 UFS 4.0 / 4.1
铠侠车规级 UFS 4.0 / 4.1 设备提供增强功能，以支持日益复杂的车载应用场景。全新的车规级 UFS 4.0 / 4.1 设备具备高达46.4Gbps带宽和多种存储密度选项，非常适合下一代复杂的车载应用场景。
从 e-MMC（并行）迈向UFS（串行）
UFS由JEDEC特别定义为e-MMC的高性能存储器替代品。它已经成为主要的智能手机解决方案，并持续迁移到车载应用和其他应用当中。UFS最终将超越e-MMC，成为主要的车载应用存储解决方案。
UFS市场趋势
UFS是符合JEDEC标准，可以代替e-MMC且具有更快性能的产品。凭借其性能优势，UFS已广泛应用于智能手机，也将逐渐应用于车载应用。
为什么选择UFS？
简单来说—UFS是e-MMC的升级版。UFS的性能已大幅超越e-MMC，并将持续扩大其性能的优势性。
UFS相较于e-MMC的优势：
- 更快的接口
- 更高的读写性能
- 产品容量更高
- 更优越的能效
启动时间对比（64MB数据输出）
对于大量启动数据，启动时间更快，这是车载应用中使用UFS的一大动力。
得益于高速顺序读写性能，UFS的存储速度比其他存储设备更快。
车载UFS的附加功能，能更好的提升车载存储可靠性
- 过热控制：如果设备温度超过105°C，设备会降低性能并通知主控进行处理。
- 高阶诊断功能：UFS控制器会监控各种项目，如擦写次数，当前温度等，并向主控报告设备状态。
- 刷新：可以刷新可靠性变差的数据，提高数据可靠性。
自2013年以来，铠侠率先开始推动UFS发展，并保持领先地位。未来，我们将继续在车载设备领域开拓进取。
截至2013年2月8日。铠侠调查。根据铠侠调查。
车规级 UFS 3.1 规格
AEC-Q100 Grade 2 （1）
*Table can be scrolled horizontally.
| Capacity | Part Number | UFS version |
Max Data Rate (MB/s) |
Supply Voltage | Operating Temperature (℃) (2) |
Package Size (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | 2.4 to 2.7, 2.7 to 3.6 |
1.14 to 1.26 | - (3) | -40 to 105 | 11.5x13.0x1.2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
- 由AEC（汽车电子委员会）定义的电气元件资格要求。
- Tc=最高115℃
- 该产品支持VCC和VCCQ2的双电源操作。无需提供VCCQ2。
- 在提到铠侠产品时：产品密度是根据产品中存储芯片的密度来确定的，而不是最终用户可用于数据存储的存储容量。由于开销数据区域、格式化、坏块和其他限制，消费者可用容量将减少，并且还可能因主机设备和应用程序而异。有关详细信息，请参阅适用的产品规范。1KB的定义=210字节=1,024字节。1Gb的定义=230位=1,073,741,824位。1GB的定义=230字节=1,073,741,824字节。1Tb=240位=109,951,162,776位。
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
