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铠侠提供UFS 4.1嵌入式闪存设备样品
采用铠侠第八代BiCS FLASH™ (1)的新一代UFS设备，带来速度与能效双提升
- 2025 年 7 月 9 日
- 铠侠株式会社
东京——全球存储解决方案领导者铠侠株式会社今日宣布，其新一代通用闪存(2)（UFS）4.1嵌入式闪存设备已开始送样，进一步巩固了其在高性能存储领域的领先地位。新设备专为满足下一代移动应用（包括搭载端侧AI的先进智能手机）的需求而设计，采用小型BGA封装，在提升性能的同时实现更高的能效(3)。
铠侠UFS 4.1产品将公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器集成在JEDEC标准封装中，采用了铠侠第八代BiCS FLASH™ 3D闪存(1).技术，并搭载了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）架构。通过将外围电路直接键合到存储阵列，CBA技术可显著提升能效、性能和存储密度。
铠侠的UFS 4.1产品集速度与低功耗于一体，旨在提升用户体验，从而实现更快的下载速度和更流畅的应用性能。
主要特性包括：
- 提供256GB、512GB和1TB三种容量规格
- 与上一代相比的性能改进(3)：
- 随机写入：512GB / 1TB 型号提升约30%
- 随机读取：512GB 型号提升约45%，1TB 型号提升约35%
- 与上一代相比的能效改进(3)：
- 读取：512GB / 1TB 型号提升约15%
- 写入：512GB / 1TB 型号提升约20%
- 主机启动碎片整理功能支持延迟垃圾回收，保障了设备在关键时刻的持续高性能
- 通过 WriteBooster 灵活配置缓冲区，提高写入性能
- 支持UFS 4.1标准
- 1TB型号的封装高度比上一代产品减小(4)
- 采用铠侠第八代BiCS FLASH™ 3D闪存(1)技术
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备注：
- 仅限512GB / 1TB型号。
- 通用闪存(UFS)是根据JEDEC UFS标准规范建立的一类嵌入式存储产品的产品类别。凭借串行接口，UFS支持全双工通讯，使得主机处理器和UFS设备之间可以同时进行读和写。
- 分别与上一代512GB“THGJFMT2E46BATV”和1TB“THGJFMT3E86BATZ”设备相比较（仅限512GB / 1TB型号）。
- 上一代1TB设备为“THGJFMT3E86BATZ”。
- 在每次提及铠侠产品：产品密度是根据产品内的内存芯片密度来确定的，而不是最终用户可用于数据存储的内存容量。消费者可使用的容量会因开销数据区域(overhead data areas)、格式化、坏块和其他限制而变少，而且也可能因主机设备和应用程序而变化。如需了解详情，请参考适用的产品规格。根据定义，1KB = 2^10字节 = 1,024字节；1Gb = 2^30比特 = 1,073,741,824比特；1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节；1Tb = 2^40比特 = 1,099,511,627,776比特。1TB = 2^40字节 = 1,099,511,627,776字节。
- 读写速度是铠侠株式会社在特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证单个器件的读写速度。读写速度可能取决于所使用的设备和所读取或写入的文件大小。
- 所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
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