铠侠与闪迪推出全新3D闪存技术，助 QLC NAND 实现业内更高位密度

2026年8月4日，美国加利福尼亚州圣克拉拉FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）——铠侠控股（东京证券交易所代码：285A）的子公司铠侠公司与闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）共同发布新一代 QLC 3D 闪存技术。相较于第八代产品，该技术的位密度提升高达60%，超过37 Gb/mm²^*1，在位密度、性能和能效方面树立了新的行业标杆。

新技术采用双方创新的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）技术^*2，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合。相较于第八代3D闪存，新技术实现了读写带宽的提升，成为业界首个接口速率达到4.8 Gb/s^*3的 QLC 3D 闪存技术。

接口增强功能提高了I/O数据输出传输能效。能效的大幅提升有助于应对当前AI与云基础设施所面临的功耗与散热挑战。

铠侠CTO宮島秀史表示：“随着AI持续推动社会进步，相关应用正从生成式AI扩展到智能体AI和物理AI，数据的使用也变得越来越多样化、复杂化。QLC技术能够高效存储快速增长的数据，有助于AI系统实现更高性能和可扩展性。铠侠将加快研发进程，推动采用QLC技术的第十代闪存产品的商业化。”

闪迪 CTO Alper Ilkbahar 表示：“随着AI训练、推理以及超大规模数据中心工作负载带来数据生成量的空前增长，存储行业面临日益增长的压力，需要提供更大容量、更高性能和更优能效。通过重新定义QLC NAND的性能与能效边界，第十代 BiCS FLASH™ QLC 技术在密度、带宽和能效方面实现了同步提升，为大容量闪存建立了新范式，为下一代基础设施应用提供了扩展基础。”

• 采用332层架构和优化布局设计，相比第八代产品，位密度提升高达60%，突破>37 Gb/mm²。
• 通过 Toggle DDR6.0 和SCA(Separate Command Address)协议实现 4.8 Gb/s^*3 NAND接口速率，充分释放高速接口潜力。
• 采用CBA(CMOS directly Bonded to Array)架构，提升密度扩展能力、性能和制造效率。
• 采用 PI LTT (Power-Isolated Low-Tapped Termination) 技术，提升I/O数据输出传输能效。