铠侠第九代 BiCS FLASH™ 1Tb TLC 存储器件开始送样

新产品融合现有存储单元与先进的CMOS技术，大幅提升投资效益

  • 2026 年 7 月 30 日
  • 铠侠公司

全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的1Tb TLC存储器件已开始送样1。新产品专为对性能有高要求、搭载AI功能的中低存储容量PC和智能手机等应用场景打造。

铠侠以其创新的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）技术2以及OPS（同节距选择栅漏极）技术3为基础，继续推行双线并行发展战略。在该战略下，铠侠同步推进两条不同的产品线：第九代在相对较低的投资成本下提供高性能的同时实现卓越性能；第十代则通过先进的堆叠工艺实现超大容量与卓越性能。

全新第九代 BiCS FLASH™ 1Tb TLC 存储器基于第八代 BiCS FLASH™ 技术的230层堆叠工艺与先进的CMOS技术研发而成，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，性能比肩第十代产品4。

秉承“记忆由芯，世界尤新”的使命，铠侠始终致力于推动技术创新、加强全球合作伙伴关系，为新一代AI基础设施提供前沿存储解决方案。

  1. 这些样品仅用于功能检测，样品规格可能因量产部件而异。
  2. CMOS晶圆和单元储存阵列晶圆都在更优的条件下单独制造然后键合在一起的技术。铠侠自第八代BiCS FLASH™产品起采用该技术。铠侠自第八代BiCS FLASH™产品起采用该技术。
  3. 通过去除虚拟存储孔结构缩短位线长度、降低字线电容的技术。该数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得，可能会因用户环境的不同而改变。
  4. 1Gb/s按1,000,000,000 bits/s计算。这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能因使用的设备不同而改变。

 

备注：

  • 产品密度是根据产品内存储芯片的密度来确定的，而不是最终用户可用于存储数据的存储器容量。消费者可使用的容量会因开销数据区域（overhead data areas）、格式化、坏块和其他限制而变少，而且也可能因主机设备和应用程序而变化。详情请参阅适用的产品规格。1Gb=2^30位=1,073,741,824位。
  • 这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能因使用的设备不同而改变。
  • 所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

 

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