铠侠与闪迪在北上工厂Fab2正式投产第十代3D闪存产品

2026年7月3日，东京与加州米尔皮塔斯——铠侠控股（东京证券交易所代码：285A）的子公司铠侠公司与闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）宣布，在日本岩手县北上工厂Fab2（K2）启动第十代3D闪存的量产。这一里程碑的实现，正值两家公司多年持续推进产能扩张，以应对市场对其创新闪存技术的强劲需求。

伴随量产的启动，双方为K2落成举行了揭幕仪式。该设施于2025年9月建成投产，此前已量产两家公司的第八代3D闪存产品，如今将引入第十代产品，扩大产能。两代3D闪存均采用创新的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，具备高性能、大容量和低功耗的优点。

Fab2设施采用抗震建筑结构，其设计使用了先进的节能生产设备。它通过AI技术提高生产效率，同时采用节省空间的设计，为洁净室内的生产设备提供更多安装空间。

铠侠与闪迪已宣布将双方合资框架延长至2034年12月。双方的合作推动了数十年的NAND闪存创新。对K2的持续投资将为合资企业的长期成功提供动力，使其能够稳定、大规模交付领先的闪存创新成果，匹配两家公司此前公布的产能增长目标。

负责运营北上工厂的铠侠岩手株式会社社长、总裁兼首席执行官柴山耕一郎表示：“我们很高兴先进的第十代闪存正式在北上厂区投产。Fab2生产的第八代及更先进的闪存产品，将为快速崛起的AI市场创造全新价值。通过双方合作优势与规模化产能，铠侠将继续制造领先的闪存产品，实现可持续的企业增长。铠侠将继续为半导体产业的进步以及地方和国家经济的发展做出贡献。”

闪迪首席技术官Alper Ilkbahar表示：“几十年来，闪迪与铠侠持续引领NAND闪存的创新。随着高性能闪存需求的持续增长，北上工厂启动第十代3D闪存量产是两家公司的一个重要里程碑。通过K2设施，我们将持续为客户提供全球领先NAND技术，同时为我们所在的社区创造经济机遇，成为美日强大经济关系的典范。”

铠侠与闪迪已建立超过25年的成功合资伙伴关系，双方将继续共同致力于3D闪存的研发和投资，以最大限度地发挥协同效应并提升竞争力。