铠侠开始送样高性能、大容量、低功耗第十代BiCS FLASH™

产品于北上工厂的Fab2生产

  • 2026 年 7 月 3 日
  • 铠侠公司

全球存储解决方案领导者铠侠株式会社宣布，开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb三层单元（TLC）存储器件的样品1 。新产品将主要集成到其企业级和数据中心级SSD中，从而强化其产品阵容，以满足对AI存储日益增长的需求——高性能、大容量以及低功耗。新产品将使用铠侠位于日本岩手县北上工厂Fab2设施的先进设备进行制造。

自第八代BiCS FLASH™起，铠侠便采用创新的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）技术2 以及OPS（同节距选择栅漏极）技术3，第十代产品在此基础上进一步优化，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度4，相比第八代提升了33%。芯片堆叠层数提升至332层，并改进横向密度，存储密度提高了59%。此外，写入和读取能效分别提升了18%和30%5 ，可有效降低数据中心和企业基础设施的能耗。

在其独特的双线并行发展战略下，铠侠同步推进两条不同的产品线：第九代以较低投入成本提供高性能；第十代则通过先进的堆叠工艺实现超大容量与卓越性能。

秉承“记忆由芯，世界尤新”的使命，铠侠始终致力于推动技术创新、加强全球合作伙伴关系，为新一代AI基础设施提供前沿存储解决方案。

 

  1. 这些样品仅用于功能检测，样品规格可能因量产部件而异。
  2. CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术是指CMOS晶圆和单元储存阵列晶圆都在更优的条件下单独制造然后键合在一起的技术。
  3. 通过去除闲置存储孔缩短位线长度、降低字线电容的技术。
  4. 1Gb/s按1,000,000,000 bits/s计算。该数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得，可能会因用户环境的不同而改变。
  5. 数据传输过程中的能效也包含在内。

 

备注：

  • 产品密度是根据产品内存储芯片的密度来确定的，而不是最终用户可用于存储数据的存储器容量。消费者可使用的容量会因开销数据区域（overhead data areas）、格式化、坏块和其他限制而变少，而且也可能因主机设备和应用程序而变化。如需了解详情，请参考适用的产品规格。1Gb=2^30位=1,073,741,824位。
  • 这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能因使用的设备不同而改变。
  • 本文提及的公司名称，产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

 

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