铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度

旧金山, 国际固态电路会议（ISSCC）——铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术，凭借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，树立了行业新标准。

两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项3D闪存创新技术，它与公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术¹相结合，采用最新的NAND闪存接口标准Toggle DDR6.0以及SCA（独立命令地址）协议²（一种全新的接口命令地址输入方式），同时还整合了PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术³（在进一步降低功耗方面发挥了关键作用）。

基于此独有的高速技术优势，两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。两家公司预展第十代3D闪存（BiCS FLASH™ generation 10）技术时介绍，通过将存储层数增至332层并优化晶圆平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

铠侠首席技术官宫岛英史表示：“随着人工智能技术的普及，预计产生的数据量将显著增加，同时现代数据中心对能效提升的需求也在增长。铠侠深信，这项新技术将实现更大容量、更高速度和更低功耗的产品，包括用于未来存储解决方案的SSD产品，并为人工智能的发展奠定基础。”

闪迪公司全球战略与技术高级副总裁Alper Ilkbahar表示：“随着人工智能的进步，客户对存储器的需求日益多样化。我们通过CBA技术创新，致力于推出在容量、速度、性能和资本效率方面达到最佳组合的产品，以满足各细分市场客户的需求。”

铠侠和闪迪还分享了即将推出的第九代3D闪存（BiCS FLASH™ generation 9）计划。通过其独特的CBA技术，两家公司能够将新的CMOS技术与现有的存储单元技术相结合，从而提供资本效率高、性能优异且功耗低的产品。两家公司将继续致力于开发前沿闪存技术，提供定制化解决方案以满足客户需求，并为数字社会的发展做出贡献。

铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘（SSD）。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，在2017年4月铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户创造选择并为社会创造基于记忆的价值，以“记忆”提升世界。铠侠的创新 3D 闪存技术 BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车、数据中心和生成式AI系统。

闪迪致力于提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术，满足个人和企业用户的关键需求，助力他们突破创新边界，成就更多可能。闪迪公司是西部数据（纳斯达克股票代码：WDC）的全资子公司。

所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。这些前瞻性声明基于管理层目前的预期，受风险和不确定因素的影响，实际结果可能与前瞻性声明中表达或暗示的结果有实质性的差异。

可能导致实际结果与前瞻性声明中明示或暗示的结果存在实质性差异的重要风险和不确定因素包括：在实施西部数据公司向闪迪分拆闪存业务过程中固有的运营、财务和法律挑战及困难；独立闪存业务的未来运营结果；分拆能否按预期条款和预期时间表完成，或能否完成，包括分拆条件可能无法满足的可能性，例如政府机构可能禁止、延迟或拒绝授予必要批准；分拆的预期收益和成本，包括预期收益可能无法在预期时间框架内、完全或根本无法实现；因分拆的宣布和完成而可能导致与客户、供应商或其他合作伙伴的关系发生潜在不利反应或变化；对分拆的宣布或完成的竞争性反应；因分拆产生的意外成本、负债、费用或支出；与分拆相关的诉讼；因分拆而无法留住关键人员；因分拆导致管理层无法专注于持续的业务运营；地缘政治冲突对业务的影响；整体经济和/或行业特定条件的任何变化；其他可能影响分拆的经济、竞争、法律、政府、技术和其他因素；以及在闪迪公司于2025年1月27日向美国证券交易委员会（SEC）提交的表格10注册声明附件99.1中的最终信息声明中列出的其他风险和不确定性（该文件可在SEC网站 www.sec.gov. 上查阅）。请勿过度依赖上述前瞻性声明，这些声明的适用性截止于其发布之日。除非法律要求，否则闪迪不承担更新或修订这些前瞻性声明以反映新信息或事件的义务。