铠侠与闪迪联合推出面向AI和数据密集型应用的新一代高性能QLC 3D闪存技术

铠侠控股（东京证券交易所代码：285A）的子公司铠侠公司与闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）联合发布了全新第九代高性能2Tb QLC 3D闪存技术，该技术旨在满足AI驱动的基础设施日益增长的存储需求。该项技术印证了架构层面的创新可以推动存储技术以AI工作负载所需的最快速度发展，同时支持实现更高资本效率的制造。

通过依托两家公司的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）架构^*1，这项新技术将先进的CMOS晶圆与成熟的存储陈列平台相结合，再融入突破性的设计与器件创新，从而提升了性能，并支持更快速地部署适用于云端、数据密集型应用的高端存储方案。相比此前第八代2Tb QLC闪存，新技术采用6平面架构且完成了多项性能提升，因而实现了更高的读写带宽，以及更优的读写能效。此外，其NAND接口速度可达4.8Gb/s ^*2，相较第八代产品提升了33%。

铠侠首席技术官宫岛秀史表示："随着AI持续推动社会的发展，其应用范围正从生成式AI扩展到智能体AI、物理AI，而数据的使用形式也日益多元化、复杂化。通过利用其成熟的存储单元技术，并结合最新的CMOS技术，铠侠正在加速其第九代闪存的开发。此方法使我们能够在保持相对较低的投资成本的同时，实现高性能。"

"AI的快速普及正在加速存储接口的转型，导致市场迫切需要迭代速度远超以往技术周期的存储技术，"闪迪公司首席技术官Alper Ilkbahar表示。"我们的第九代QLC技术展示了CBA的独特灵活性，通过独立推进CMOS和存储技术发展来加速创新。我们正以卓越的资本效率，更快速地将新功能推向市场。"

第九代QLC 3D闪存技术的推出，标志着3D闪存发展路线图上的一个重要里程碑，也彰显了铠侠与闪迪之间持续紧密的合作关系。通过最大限度地发挥其CBA平台的灵活性，两家公司正在为NAND创新创造新的机遇，并帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。