铠侠与闪迪宣布日本北上工厂的Fab2正式投产，以满足AI驱动的市场需求

2025年9月29日，日本东京与加利福尼亚州米尔皮塔斯——铠侠控股株式会社（东京证券交易所代码：285A）的子公司铠侠株式会社与闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）今日宣布，其位于日本岩手县北上工厂的先进半导体制造设施Fab2（K2）正式投产。Fab2拥有生产第八代218层3D闪存以及未来更先进的3D闪存的能力，旨在满足AI驱动下日益增长的存储需求。第八代3D闪存搭载了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）架构。Fab2的产能将根据市场趋势分阶段逐步提升，预计将在2026年上半年开始实现规模化产出。

Fab2设施采用抗震建筑结构，其设计使用了先进的节能生产设备。它通过AI技术提高生产效率，同时采用节省空间的设计，为洁净室内的生产设备提供更多安装空间。根据2024年2月批准的计划，Fab2的部分投资由日本政府给予资助。

“我们很高兴看到北上工厂的新Fab2设施正式投产，”负责运营北上工厂的铠侠岩手公司总裁兼首席执行官Koichiro Shibayama表示。“Fab2生产的第八代及更先进的3D闪存产品，将为快速崛起的AI市场提供新的价值。我们将继续利用合作伙伴关系和规模经济效应来生产先进的闪存产品，实现公司的有机增长。铠侠将继续为半导体产业的进步以及地方和国家经济的发展做出贡献。”

闪迪公司闪存前端运营高级副总裁Maitreyee Mahajani表示：“随着AI的不断发展，它必将以我们难以想象的方式重塑各个行业、重新定义职业并改变我们的日常生活。闪存技术正处于这场变革的核心，为这波创新浪潮提供了必需的速度、效率和可扩展性。我们为与铠侠的长期合作伙伴关系及其提供的规模优势感到自豪，我们的客户因此能够充分把握AI带来的机遇。”

铠侠与闪迪已建立超过20年的成功合资伙伴关系，双方将继续共同致力于3D闪存的研发并根据市场趋势进行资本投资，以最大限度地发挥协同效应并提升竞争力。

铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘（SSD）。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，在2017年4月铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户创造选择并为社会创造基于记忆的价值，以“记忆”提升世界。铠侠的创新 3D 闪存技术 BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车、数据中心和生成式AI系统。

闪迪（纳斯达克股票代码：SNDK）致力于提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术，满足个人和企业用户的关键需求，助力他们突破创新边界，成就更多可能。关注闪迪官方社交媒体：Instagram、Facebook、X、LinkedIn 和 YouTube。欢迎加入 Instagram 上的 TeamSandisk。在 Instagram 上加入 TeamSandisk。

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