铠侠第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 存储器开始送样

全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样⁽¹⁾。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。

为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行”策略，即：

• 第九代 BiCS FLASH™ 产品： 采用 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术⁽²⁾，将现有的存储单元技术⁽³⁾与最新的 CMOS 技术相结合，在降低生产成本的同时实现卓越性能。
• 第十代 BiCS FLASH™ 产品： 通过增加存储单元的堆叠层数，满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。

全新的第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 基于第五代 BiCS FLASH™ 技术的 120 层堆叠工艺与先进的 CMOS 技术开发而成。与铠侠现有的相同容量（512Gb）的 BiCS FLASH™ 产品⁽⁴⁾ 相比，其性能实现了显著提升，包括：

• 写入性能：提升 61%
• 读取性能：提升 12%
• 能效：写入操作能效提升 36%，读取操作能效提升 27%
• 数据传输速度：支持 Toggle DDR6.0 接口，可实现高达 3.6Gb/s ⁽⁵⁾ 的 NAND 接口传输速率
• 位密度：通过先进的横向缩放技术提升 8% 位密度

此外，铠侠确认，在演示条件下，该 512Gb TLC 的 NAND 接口速度可达 4.8Gb/s⁽⁵⁾。其产品线将根据市场需求确定。

铠侠始终致力于深化全球合作伙伴关系，并持续推动技术创新，为客户提供满足其多样化需求的最佳存储解决方案。