铠侠即将在IEDM 2024上展示创新存储技术

展示面向人工智能、计算和存储系统的创新应用

  • 2024年 10 月 21日
  • 铠侠株式会社

全球领先的存储解决方案提供商铠侠株式会社今日宣布,其研究论文已被IEDM 2024(IEEE国际电子元件会议)接收,并将在会上发布。IEDM是享有盛誉的国际会议,本届IEDM将于12月7日至11日在美国旧金山举行。

铠侠致力于研发对于人工智能发展和社会数字化转型至关重要的半导体存储器。除了其最先进的3D闪存技术 BiCS FLASH™ 之外,铠侠在创新存储器解决方案的研究方面也表现出色。公司通过不断努力,以创新的存储器产品来满足未来计算和存储系统的需求。

当前计算系统通常利用DRAM来实现CPU的高速数据处理,并利用闪存技术来存储更多数据。铠侠一贯引领着存储级存储器(SCM)的研发。在半导体存储器层级中,SCM是DRAM和闪存之间的中间层,设计用于处理比DRAM更大的数据量且速度比闪存更快。

图:存储器层次结构

在本次IEDM会议上,铠侠将展示针对这三种半导体存储层级的尖端技术:(1)降低功耗的使用氧化物半导体的DRAM技术;(2)适用于更大容量SCM应用的MRAM技术;以及(3)采用新结构、可实现更高位密度和性能的3D闪存技术。

创新存储技术:

  1. 使用氧化物半导体的DRAM技术(OCTRAM:Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM):

    该技术由南亚科技和铠侠联合开发。双方合作开发了一种垂直晶体管,通过改进制造工艺提高了电路集成度。同时,利用氧化物半导体的晶体管的特性,实现了极低的漏电率。该技术有望降低各种应用的功耗,例如人工智能、后5G通信系统和物联网产品。

    论文标题:Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) with 4F2 ArchitectureA new window will open. (Paper Number: 6-1)

  2. 大容量交叉点MRAM技术:

    该技术由韩国公司SK海力士和铠侠联合开发。我们通过结合适用于大容量的选择器和磁隧道结的单元技术以及交叉点阵列微加工技术,实现了20.5纳米MRAM有史以来最小的单元半间距读写 。随着细胞小型随着单元尺寸的缩小,存在存储器可靠性降低的问题。我们提出了解决该问题的方法,即使用一种新的读出方法,该方法利用选择器的瞬态响应并减少读出电路的寄生电容 。该技术在人工智能和大数据处理方面具有实际应用价值。

    论文标题: Reliable memory operation with low read disturb rate in the world smallest 1Selector-1MTJ cell for 64 Gb cross-point MRAMA new window will open. (Paper Number: 20-1)

  3. 采用水平单元堆叠结构的下一代3D闪存技术:

    铠侠开发了一种新的3D结构,以提高NAND闪存单元的可靠性并防止性能下降。在传统结构中,增加堆叠层数会导致NAND单元性能下降。新结构中NAND单元水平排列并堆叠,这与NAND单元垂直排列的传统结构不同。通过使用这种结构,可以以低成本实现具有高位密度和可靠性的3D闪存。

    论文标题:Superior Scalability of Advanced Horizontal Channel Flash For Future Generations of 3D Flash MemoryA new window will open. (Paper Number: 30-1)

 

有关 IEDM 的更多详细信息,请访问:https://www.ieee-iedm.org/A new window will open.

秉持“记忆由芯,世界尤新”的使命,铠侠将凭借创新技术打造全新存储时代,促进研究和技术发展,支持未来的数字社会。

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